Cmos(广东场效应半导体)中国

CMB60P06

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流60 A
导通电阻19.5 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流60 A
导通电阻19.5 mΩ最大
电源
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)60A
其他
导通电阻(RDS(on))19.5mΩ
数量1个P沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 1.2 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.0 MB · 2026-09-21
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