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技术参数

环境与封装
PackageTO-252
其他
ConfigurationSingle
ID(A)-10
N/PP
PlateformSGT MOSFET
Rdson @VGS10V Max(mΩ)215
Rdson @VGS10V Typ(mΩ)180
Rdson @VGS4.5V Max(mΩ)245
Rdson @VGS4.5V Typ(mΩ)190
VDSS(V)-100
VGS(th) Max-3
VGS(th) Min-1
VGS(V)±20

技术资料