CMP10N65
晶体管 - FET,MOSFET - 单MOS管,TO-220,N沟道,耐压:650V,电流:10A,10V内阻:1Ω,功率:162W,CISS(Typ):2100PF
耐压650 V
连续漏极电流10 A
导通电阻1 Ω
全部替代型号
查看完整报告技术参数
耐压650 V
连续漏极电流10 A
导通电阻1 Ω最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 连续漏极电流(Id) | 10A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V |
| 耗散功率(Pd) | <SPAN CLASS='LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS'>162W</SPAN> |