Cmos(广东场效应半导体)中国

CMP120P04

晶体管 - FET，MOSFET - 单

P沟道 -40V -120A

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耐压40 V
连续漏极电流120 A
导通电阻5.7 mΩ

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技术参数

耐压40 V
连续漏极电流120 A
导通电阻5.7 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)120A
其他
导通电阻(RDS(on))5.7mΩ@10V
耗散功率(Pd)150W

技术资料

数据手册数据手册 · 1.8 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.0 MB · 2026-09-21
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