Cmos(广东场效应半导体)中国

CMP1608

晶体管 - FET，MOSFET - 单

1个N沟道 耐压:80V 电流:160A

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沟道N 沟道
耐压80 V
连续漏极电流160 A
导通电阻4.2 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压80 V
连续漏极电流160 A
导通电阻4.2 mΩ最大
电源
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)160A
其他
导通电阻(RDS(on))4.2mΩ
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 1.0 MB · 2026-09-21
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