CMP4N150B
晶体管 - FET，MOSFET - 单MOS管，封装：TO-220，N场，电压：1500V，电流：4A，10V内阻：7Ω，功率：150W，CissTyp：1200pF
沟道N 沟道
耐压1.5 kV
连续漏极电流4 A
导通电阻5.9 Ω
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沟道N 沟道
耐压1.5 kV
连续漏极电流4 A
导通电阻5.9 Ω最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 1.5kV |
| 连续漏极电流(Id) | 4A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.9Ω@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |
技术资料
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