Cmos(广东场效应半导体)中国

CMP50N06

晶体管 - FET，MOSFET - 单

1个N沟道 耐压:60V 电流:50A

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沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流50 A
导通电阻18 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压60 V
连续漏极电流50 A
导通电阻18 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)50A
其他
导通电阻(RDS(on))18mΩ@10V,20A
数量1个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 1.6 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.0 MB · 2026-09-21
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