CMP80N03-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单TO220；N—Channel沟道,30V；120A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
耐压30 V
连续漏极电流120 A
导通电阻4 mΩ
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耐压30 V
连续漏极电流120 A
导通电阻4 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 120A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@4.5V |
| 耗散功率(Pd) | 250W |