Cmos(广东场效应半导体)中国

CMP9640

晶体管 - FET，MOSFET - 单
查看国产替代问 AI FAE数据手册 PDF
沟道P 沟道
耐压200 V
连续漏极电流15 A
导通电阻360 mΩ

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

沟道P 沟道
耐压200 V
连续漏极电流15 A
导通电阻360 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)15A
其他
导通电阻(RDS(on))360mΩ@10V
数量1个P沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 1.3 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 1.0 MB · 2026-09-21
进入资料中心