CMPTA42

CMPTA42

在产TO-92

CMPTA42 300V,500mA,350mW Surface mount Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage :: Part, Case and Package Specifications, Availability and Datasheets (PDF)

MPSA42 是一款硅 NPN 高压晶体管,VCEO 300V,IC 500mA,TO-92 封装,工作温度 -65 至 +150°C。规格书核对

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技术参数

规格书核对参数

16 项
参数值和测试条件出处
封装TO-92
工作温度-65 to +150 °C
集电极-发射极击穿电压Min 300 V (IC=1.0mA)
集电极-基极击穿电压Min 300 V (IC=100μA)
发射极-基极击穿电压Min 6.0 V (IE=100μA)
集电极-发射极饱和压降Max 0.50 V (IC=20mA, IB=2.0mA)
基极-发射极饱和压降Max 0.90 V (IC=20mA, IB=2.0mA)
直流电流增益Min 25 (VCE=10V, IC=1.0mA); Min 40 (VCE=10V, IC=10mA); Min 40 (VCE=10V, IC=30mA)
特征频率Min 50 MHz (VCE=20V, IC=10mA, f=100MHz)
集电极-基极漏电流Max 100 nA (VCB=200V)
发射极-基极漏电流Max 100 nA (VEB=6.0V)
输出电容Max 3.0 pF (VCB=20V, IE=0, f=1.0MHz)
最大集电极电流Max 500 mA
最大耗散功率Max 625 mW
结到环境热阻Max 200 °C/W
结到外壳热阻Max 83.3 °C/W
全部参数(2 项)展开收起
环境与封装
CMPTA42 300V,500mA,350mW Surface mount Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High VoltageCMPTA42 300V,500mA,350mW Surface mount Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage
其他
Parametric rowCMPTA42

引脚与封装

封装TO-92

脚位名称功能出处
1发射极 (Emitter)
2基极 (Base)
3集电极 (Collector)

器件图片

CMPTA42实物照片 · 产品库

技术资料

规格书核对内容由 AI 从原厂规格书提取,点页码查看原文。