CMS140S035P56B

在产单 FET,MOSFET

中微半导体30-40V低压MOSFET主要针对电源领域、电池保护、电机驱动等应用开发。电源产品的应用中,往往要求MOSFET有更小的QgxRds(on),中微半导通过优化器件的通态内阻与开关特性,做到有效提升电源产品整体效率。而电池保护应用方面,在高度关注器件的内阻与热特性的同时,又保证了产品一致性与抗短路能力,能为电池保护板的安全性提供有效保障。针对电机驱动,在常规的通态与开关损耗之外,中微半导低压功率MOSFET对器件的异常短路、过压击穿等极限性测试表现优异,可有效提升系统可靠性。

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技术参数

环境与封装
封装形式PDFN5*6
其他
ID(25℃) (A)140
PolarityN
RDSON@VGS=10V Typ.(mΩ)1.6
VDS (V)35
VGSth(V)1.5
VGS (±V)20

技术资料

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