CPD55R190FT4

在产单 FET,MOSFETTO-252

SJ 功率半导体器件

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技术参数

环境与封装
PackageTO-252
其他
BV(V)550
ID20
RDS(on)(mΩ)@10V Max.190
RDS(on)(mΩ)@10V Typ.170
Vth(V)4

技术资料

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