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Low core loss in high frequency application and suitable for GaN power solution. Magnetic shielded structure: excellent resistance to electro magnetic interference(EMI). Flat wire winding, achieve a low DC resistance. Lightweight design, save space, suitable for high density SMT. Operating temperature : -55℃ ～ +170℃ (Including coil's temperature rise).
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| 电源 | |
|---|---|
| 额定电流 Irms | 3.1~50A |
| 额定电流 Isat | 5.3~70A |
| 环境与封装 | |
| 安装方式 Mounting | SMD |
| 工作温度 Operating Temperature | -55~+170℃ |
| 其他 | |
| AEC-Q200 | No |
| 屏蔽 Shielded | Y |
| 料号数量 | 230 |
| 电感范围 Inductance | 0.13~100μH |
| 直流电阻 DCR(typ) | 0.32~51.3mΩ |
| 磁芯材料 Core Material | Composite |
技术资料
数据手册数据手册 · 2.0 MB · 2026-09-23数据手册数据手册 · 2.0 MB · 2026-09-23数据手册数据手册 · 1.9 MB · 2026-09-23数据手册数据手册 · 1.8 MB · 2026-09-23数据手册数据手册 · 1.8 MB · 2026-09-23数据手册数据手册 · 1.6 MB · 2026-09-23数据手册数据手册 · 1.6 MB · 2026-09-23数据手册数据手册 · 1.6 MB · 2026-09-23数据手册数据手册 · 1.6 MB · 2026-09-23数据手册数据手册 · 1.5 MB · 2026-09-23数据手册数据手册 · 1.4 MB · 2026-09-23数据手册数据手册 · 1.3 MB · 2026-09-23数据手册数据手册 · 1.3 MB · 2026-09-23数据手册数据手册 · 1.2 MB · 2026-09-23数据手册数据手册 · 1.2 MB · 2026-09-23数据手册数据手册 · 1.2 MB · 2026-09-23数据手册数据手册 · 1.1 MB · 2026-09-23
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