CSD17576Q5B-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；DFN8(5X6)；N—Channel沟道,30V；128A；RDS(ON)=1.2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；是一款单体N型场效应管，采用Trench技术，适用于高功率和高电流的应用场景。
耐压30 V
连续漏极电流128 A
导通电阻1.5 mΩ
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耐压30 V
连续漏极电流128 A
导通电阻1.5 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 128A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5mΩ@4.5V |
| 耗散功率(Pd) | 175W |