CSD18503KCS-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型MOSFET，采用Trench工艺，具有优异的性能和稳定性。适用于电源管理模块、工业控制模块、电机驱动模块等领域。TO220；N—Channel沟道,40V；110A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.5V；
沟道N 沟道
耐压40 V
连续漏极电流110 A
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沟道N 沟道
耐压40 V
连续漏极电流110 A
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 110A |
| 其他 | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 输入电容(Ciss) | 2.9nF@20V |