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DCP4N045006GD2KSSD

薄膜电容器
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容值5 µF
额定电压900 V
精度10 %

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技术参数

容值5 µF
额定电压900 V
精度10 %
电源
额定电压900V
交流 / 直流特性
精度±10%
环境与封装
工作温度-55℃~+105℃
其他
容值5uF

技术资料

数据手册数据手册 · 1.1 MB · 2026-09-21
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