DMC3025LSD(TP)
晶体管 - FET，MOSFET - 单特性：N沟道:VDS = 30V,ID = 8.0A。 RDS(ON) = 17mΩ(VGS = 10V时)。 RDS(ON) = 24mΩ(VGS = 4.5V时)。P沟道:VDS = -30V,ID = -6A。 RDS(ON) = 40mΩ(VGS = -10V时)。 RDS(ON) = 60mΩ(VGS = -4.5V时)。应用：PWM应用。DC电机
耐压33 V
连续漏极电流8 A
导通电阻40 mΩ
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耐压33 V
连续漏极电流8 A
导通电阻40 mΩ最大 · 10V，10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 33V |
| 连续漏极电流(Id) | 8A；8A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V；40mΩ@10V |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |