HXY MOSFET(华轩阳电子)中国

本款N+P沟道组合场效应管（MOSFET）采用双沟道设计，集成N沟道与P沟道器件于单一封装内。单管漏极电流ID可达6A，漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至16mΩ，具备优良的导通特性和开关响应能力。适用于同步整流、双向负载控制、电源管理及直流变换器等应用场合，可有效提升系统效率并减少外围元件数量。该器件满足多种便携式电子设备及高效能电源系统对小型化与低损耗的要求。