DMN2020UFCL-TP
晶体管 - FET，MOSFET - 单N沟道增强型MOSFET，适用于接口开关、DC-DC转换器和电源管理功能，具备ESD保护栅极
沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流6.5 A
导通电阻18 mΩ
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沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流6.5 A
导通电阻18 mΩ最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个N沟道 |
技术资料
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