DMN3011LFDF

在产单 FET,MOSFET

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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技术参数

环境与封装
AEC QualifiedNo
其他
C ISS Condition @|V DS | (V)15 V
C ISS Typ (pF)1130 pF
Compliance (Only Automotive Supports PPAP)Standard
ESD Diodes (Y|N)No
|I DS | @T A = +25°C (A)10.8 A
P D @T A = +25°C (W)2 W
PolarityN
Q G Typ @ |V GS | = 10V (nC)19.7 nC
Q G Typ @ |V GS | = 4.5V (nC)10 nC
R DS(ON) Max@ V GS (10V) (mΩ)12 mΩ
R DS(ON) Max@ V GS (4.5V) (mΩ)16 mΩ
|V DS | (V)30 V
|V GS(TH) | Max (V)2 V
|V GS(TH) | Min (V)1.4 V
|V GS | (±V)20 ±V

技术资料