DMP2012SN

在产单 FET,MOSFET

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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技术参数

环境与封装
AEC QualifiedYes
其他
C ISS Condition @|V DS | (V)10 V
C ISS Typ (pF)178.5 pF
Compliance (Only Automotive Supports PPAP)Standard
ESD Diodes (Y|N)Yes
|I DS | @T A = +25°C (A)0.9 A
P D @T A = +25°C (W)0.5 W
PolarityP
R DS(ON) Max@ V GS (2.5V) (mΩ)500 mΩ
R DS(ON) Max@ V GS (4.5V) (mΩ)300 mΩ
|V DS | (V)20 V
|V GS(TH) | Max (V)1.2 V
|V GS(TH) | Min (V)0.5 V
|V GS | (±V)12 ±V

技术资料