DOINGTER(杜因特)中国

DOS11DN02

晶体管 - FET，MOSFET - 单

N+N管/20V/11A/10MΩ/(典型9MΩ)

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沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流11 A
导通电阻10 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压20 V
连续漏极电流11 A
导通电阻10 mΩ最大 · 4.5V
电源
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)11A
其他
导通电阻(RDS(on))10mΩ@4.5V
数量2个N沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 758.7 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 509.3 KB · 2026-09-21
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