高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V

驱动路数2
驱动配置半桥
峰值输出电流600 mA

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技术参数

驱动路数2
驱动配置半桥
峰值输出电流600 mA最大
电源
灌电流(IOL)600mA
驱动通道数2
其他
负载类型MOSFET;IGBT
驱动配置半桥

技术资料