DOINGTER(杜因特)中国

DOS2DP06

晶体管 - FET，MOSFET - 单

P+P管/-60V/-2.5A/180MΩ/(典型155MΩ)

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沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流2.5 A
导通电阻180 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流2.5 A
导通电阻180 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)2.5A
其他
导通电阻(RDS(on))180mΩ@10V
数量2个P沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 4.9 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 509.3 KB · 2026-09-21
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