DOINGTER(杜因特)中国

DOS9DP04

晶体管 - FET，MOSFET - 单

P+P管/-40V/-9A/16MΩ/(典型12MΩ)

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沟道P 沟道
耐压40 V
连续漏极电流6.5 A
导通电阻16 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压40 V
连续漏极电流6.5 A
导通电阻16 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)6.5A
其他
导通电阻(RDS(on))16mΩ@10V
数量2个P沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 7.4 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 509.3 KB · 2026-09-21
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