DOZ95N03T
晶体管 - FET,MOSFET - 单SGT工艺/N管/30V/95A/2.5mΩ/(典型值1.75mΩ)
耐压30 V
连续漏极电流95 A
导通电阻2.5 mΩ
全部替代型号
查看完整报告技术参数
耐压30 V
连续漏极电流95 A
导通电阻2.5 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 95A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V |
| 耗散功率(Pd) | 59.5W |
SGT工艺/N管/30V/95A/2.5mΩ/(典型值1.75mΩ)
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 95A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V |
| 耗散功率(Pd) | 59.5W |