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DP3401

晶体管 - FET，MOSFET - 单

P沟道增强型场效应管,电流:-4A,耐压:-30V

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沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流4 A
导通电阻90 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流4 A
导通电阻90 mΩ最大 · 2.5V
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4A
其他
导通电阻(RDS(on))90mΩ@2.5V
数量1个P沟道

技术资料

数据手册数据手册 · 2.0 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 993.8 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 916.8 KB · 2026-09-21
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