EPC2071
EPC美国

TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD

查看国产替代问 AI FAE
沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流64 A
导通电阻2.2 mΩ

全部替代型号

查看完整报告

技术参数

沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流64 A
导通电阻2.2 mΩ最大 · 30A
阈值电压2.5 V最大 · 13mA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C64A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Power Dissipation (Max)-
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-40°C~150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / CaseDie
Supplier Device PackageDie
其他
Base Product NumberEPC20
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3931 pF @ 50 V
MfrEPC
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.2mOhm @ 30A, 5V
SerieseGaN®
TechnologyGaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)+6V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 13mA

器件图片

技术资料

该型号暂未收录资料。