HXY MOSFET(华轩阳电子)中国

这款快恢复/高效率二极管具有1安培的正向电流（IF）承载能力，以及高达200伏特的反向电压（VR），适合应用于需要稳定高压操作的场合。其正向电压（VF）仅为0.95伏特，在保证性能的同时减少了能量损失。反向漏电流（IR）控制在5微安，体现了良好的阻断特性。瞬态正向浪涌电流（IFSM）可达30安培，能够应对突然增大的电流冲击。这些特性使得该二极管非常适合用于要求高效能和可靠性的开关电源及整流电路中。