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ES3N06G-AB3-R

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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耐压100 V
连续漏极电流5 A
导通电阻95 mΩ

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技术参数

耐压100 V
连续漏极电流5 A
导通电阻95 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)5A
其他
导通电阻(RDS(on))95mΩ@10V,2.5A
耗散功率(Pd)5.2W

技术资料

数据手册数据手册 · 651.1 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 599.8 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 415.2 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 190.4 KB · 2026-09-21
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