ESEP4045GU
晶体管 - FET，MOSFET - 单类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：59A 功率(Pd)：44.6W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.5mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.7V@250uA N沟道,40V,59A,5.5mΩ@10V
耐压40 V
连续漏极电流59 A
导通电阻5.5 mΩ
全部替代型号
查看完整报告技术参数
耐压40 V
连续漏极电流59 A
导通电阻5.5 mΩ最大 · 10V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 59A |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V,30A |
| 耗散功率(Pd) | 44.6W |