FDB6670AS
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FDB6670AS

停产晶体管 - FET,MOSFET - 单D²PAK

MOSFET N-CH 30V 62A TO263AB

沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流62 A
导通电阻8.5 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流62 A
导通电阻8.5 mΩ最大 · 31A
阈值电压3 V最大 · 1mA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C62A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)62.5W (Tc)
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device PackageD²PAK (TO-263)
其他
Base Product NumberFDB667
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs39 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1570 pF @ 15 V
Mfronsemi
Product StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.5mOhm @ 31A, 10V
SeriesPowerTrench®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 1mA

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