FDM6296
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MOSFET N-CH 30V 11.5A 8POWER33

沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流11.5 A
导通电阻10.5 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流11.5 A
导通电阻10.5 mΩ最大 · 11.5A
阈值电压3 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)2.1W (Ta)
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / Case8-PowerVDFN
Supplier Device Package8-Power33 (3x3)
其他
Base Product NumberFDM629
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2005 pF @ 15 V
Mfronsemi
Product StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs10.5mOhm @ 11.5A, 10V
SeriesPowerTrench®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

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