FDMS86103L-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单N型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于各种需要中等电压、大电流和低导通电阻的应用领域，为不同领域的模块提供了可靠的功率开关解决方案。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,100V；65A；RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=3~5V；
沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流65 A
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沟道N 沟道
耐压100 V
连续漏极电流65 A
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 65A |
| 其他 | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 50W |