FDMS8622-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率MOSFET，采用Trench技术，适用于多种高性能功率电子应用。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,100V；30A；RDS(ON)=17mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=3~5V；
沟道N 沟道
耐压100 V
导通电阻18 mΩ
阈值电压4 V
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沟道N 沟道
耐压100 V
导通电阻18 mΩ最大 · 10V
阈值电压4 V最大
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |