【联系：sales@hxymos.com】该N沟道MOSFET支持90A的连续漏极电流，最大漏源电压为30V，导通电阻低至3.5毫欧，栅源驱动电压最高可达20V。其极低的RDS(ON)有效减少导通损耗，适用于高电流、高效率要求的电源管理、电机控制、电池充放电系统及各类紧凑型电子设备中，能够在高频开关条件下保持良好的热稳定性和电气性能。
连续漏极电流90 A
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连续漏极电流90 A
| 环境与封装 | |
|---|---|
| 封装 | DFN5X6-8L |
| 其他 | |
| ID | 90A |
| RDON | 3.5mR |
| TYPE | N-ch |
| VDSS | 30V |
| VGS | 20V |