FDN352AP

在产晶体管 - FET,MOSFET - 单SOT-23-3

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

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沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流1.3 A
导通电阻180 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压30 V
连续漏极电流1.3 A
导通电阻180 mΩ最大 · 1.3A
阈值电压2.5 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)500mW (Ta)
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageBulk
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device PackageSOT-23-3
其他
Base Product NumberFDN352
FET Feature-
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds150 pF @ 15 V
MfrFairchild Semiconductor
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs180mOhm @ 1.3A, 10V
SeriesPowerTrench®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

技术资料

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