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FDS6670AS

停产晶体管 - FET,MOSFET - 单8-SOIC

MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC

沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流13.5 A
导通电阻9 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流13.5 A
导通电阻9 mΩ最大 · 13.5A
阈值电压3 V最大 · 1mA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)2.5W (Ta)
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOIC
其他
Base Product NumberFDS66
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1540 pF @ 15 V
Mfronsemi
Product StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 13.5A, 10V
SeriesPowerTrench®, SyncFET™
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 1mA

技术资料