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FDZ191P_P

停产晶体管 - FET,MOSFET - 单6-WLCSP

MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP

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沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流3 A
导通电阻85 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流3 A
导通电阻85 mΩ最大 · 1A
阈值电压1.5 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Power Dissipation (Max)1.9W (Ta)
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR)
Package / Case6-UFBGA, WLCSP
Supplier Device Package6-WLCSP (1x1.5)
其他
Base Product NumberFDZ19
FET Feature-
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds800 pF @ 10 V
Mfronsemi
Product StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs85mOhm @ 1A, 4.5V
SeriesPowerTrench®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

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