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MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA

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沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流4.6 A
导通电阻46 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压20 V
连续漏极电流4.6 A
导通电阻46 mΩ最大 · 4.6A
阈值电压1.5 V最大 · 250μA
电源
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Power Dissipation (Max)1.7W (Ta)
环境与封装
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR)
Package / Case9-VFBGA
Supplier Device Package9-BGA (1.5x1.6)
其他
Base Product NumberFDZ29
FET Feature-
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds754 pF @ 10 V
Mfronsemi
Product StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs46mOhm @ 4.6A, 4.5V
SeriesPowerTrench®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

技术资料

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