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N沟道增强型MOSFET,电流:5A,耐压:30V

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沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流5 A
导通电阻50 mΩ

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技术参数

沟道N 沟道
耐压30 V
连续漏极电流5 A
导通电阻50 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5A
其他
导通电阻(RDS(on))50mΩ@10V
数量1个N沟道

技术资料