FZT851D

60V,6A,General Purpose NPN Bipolar Transistor

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技术参数

电源
基极电流 IB (mA)300
电流放大倍数 hFE max600
电流放大倍数 hFE min300
集电极-发射极击穿电压 VCEO (V)60
集电极电流 IC (A)6
交流 / 直流特性
特征频率 fT min (MHz)130(Typ.)
环境与封装
REACH 合规YES
RoHS 合规YES
封装 PackageTO-252
其他
AEC-Q 车规认证NO
出口管制编码 ECCNEAR99
无卤 Halide-freeYES
无铅 Pb-freeYES
最低结温 Tj min (℃)-55
最大耗散功率 PD (mW)2.5
最高结温 Tj max (℃)150
极性 PolarityNPN
生命周期 Marketing StatusActive
饱和压降 VCE(sat) (V)0.375

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技术资料