G120P06M
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G120P06M

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流120 A
导通电阻8.5 mΩ

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技术参数

沟道P 沟道
耐压60 V
连续漏极电流120 A
导通电阻8.5 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)120A
其他
导通电阻(RDS(on))8.5mΩ@10V,20A
数量1个P沟道

器件图片

G120P06M实物照片 · 产品库

技术资料

数据手册数据手册 · 1.6 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 594.5 KB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 370.6 KB · 2026-09-21
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