G180C06Y
Goford Semiconductor中国台湾

G180C06Y

晶体管 - FET，MOSFET - 单
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沟道N + P
耐压60 V
连续漏极电流60 A
导通电阻23 mΩ

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技术参数

沟道N + P
耐压60 V
连续漏极电流60 A
导通电阻23 mΩ最大 · 10V
电源
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)60A
其他
导通电阻(RDS(on))23mΩ@10V
数量1个N沟道+1个P沟道

器件图片

G180C06Y实物照片 · 产品库

技术资料

数据手册数据手册 · 1.6 MB · 2026-09-21数据手册数据手册 · 370.6 KB · 2026-09-21
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