GD25WD10CEIGR

在产存储器8-USON

IC FLSH 1MBIT SPI/QUAD I/O 8USON

问 AI FAE
类型Flash
容量1 Mbit
接口SPI
供电电压1.65 ~ 3.6 V

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技术参数

类型Flash
容量1 Mbit
接口SPI
供电电压1.65 ~ 3.6 V
电源
Voltage - Supply1.65V ~ 3.6V
环境与封装
Memory Size1Mbit
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-40°C~85°C(TA)
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / Case8-XFDFN Exposed Pad
Supplier Device Package8-USON (2x3)
其他
Base Product NumberGD25WD10
Memory FormatFLASH
Memory InterfaceSPI - Quad I/O
Memory Organization128K x 8
Memory TypeNon-Volatile
MfrGigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Product StatusActive
Series-
TechnologyFLASH - NOR
Write Cycle Time - Word, Page-

技术资料

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