GD55LE512ML

在产存储器SOP8 208mil

SPI NOR Flash 闪存

问 AI FAE
容量512 Mbit

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技术参数

容量512 Mbit
电源
电压1.65V~2.0V
交流 / 直流特性
频率(MHz)166(x1 x2 x4),104(x4 DTR)
环境与封装
封装SOP8 208mil,WSON8 6x5mm
温度(工规)-40℃~85℃,-40℃~105℃,-40℃~125℃
其他
I/O总线Single I/O,Dual I/O,Quad I/O,QPI,DTR
主要特性H/W RESET,WP#,Security Registers with OTP Locks,Suspend,Unique ID,HOLD#
容量512Mb
状态S

技术资料

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