DIODE GEN PURP 1.6KV 25A DO4

反向耐压1.6 kV
平均整流电流25 A
正向压降1.55 V
类型标准

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技术参数

反向耐压1.6 kV
平均整流电流25 A
正向压降1.55 V最大 · 60 A
类型标准Standard Recovery >500ns,> 200mA (Io)
电源
Current - Average Rectified (Io)25A
Current - Reverse Leakage @ Vr4 mA @ 1600 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.55 V @ 60 A
环境与封装
Mounting TypeChassis, Stud Mount
Operating Temperature - Junction-40°C~180°C
PackageBulk
Package / CaseDO-203AA, DO-4, Stud
Supplier Device PackageDO-4
其他
Capacitance @ Vr, F-
Diode TypeStandard
MfrGeneSiC Semiconductor
Product StatusObsolete
Series-
SpeedStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

技术资料