GPCD2003

GPCD2003

在产单 FET,MOSFET

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技术参数

ESD (Yes/No)Yes
ID (A)12
ProcessTrench
RDS(mΩ)@VGS (4.5V Max)7.20
RDS(mΩ)@VGS (4.5V Typ)6.20
TypeDual-N
VDS (V)18
VGS(TH) (V)0.7
VGS (V)±12

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技术资料