GSCT3060AL
SUPSiC(国晶微半导体)中国

GSCT3060AL

在产单 FET，MOSFETTO-247-3

国晶微半导体 GSCT3060AL — SiC 碳化硅功率模块

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技术参数

电源
阻断电压650 V
额定电流39A
交流 / 直流特性
阻抗Ron60mΩ
环境与封装
封装TO-247-3
其他
型号GSCT3060AL

器件图片

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技术资料

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