HBSS1237F
晶体管 - FET，MOSFET - 单这款N沟道场效应管(MOSFET)支持0.2A的连续漏极电流(ID)，具有高达100V的漏源电压(VDSS)耐受能力，适用于高压低电流环境。其导通电阻(RDON)为2800mΩ，在确保电路安全的同时提供可靠的开关功能。栅源电压(VGS)范围达到20V，使其能够良好地适应各种控制信号需求。此MOSFET非常适合用于需要精确控制的小功率应用中，比如小型电源转换器、LED照明控制系统以及各类便携式设备内部的保护电路等场景。
耐压100 V
连续漏极电流170 mA
导通电阻9 Ω
全部替代型号
查看完整报告技术参数
耐压100 V
连续漏极电流170 mA
导通电阻9 Ω最大 · 4.5V
| 电源 | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 170mA |
| 其他 | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9Ω@4.5V |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |